| 发明名称 | 半导体外延晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了使外延层在基板上生长时，不需要新保护膜的形成、除去工序，并且可以维持洁净的镜面的定向平面的半导体外延晶片及其制造方法。半导体外延晶片是，由具有通过解理形成的定向平面(2)的基板(1)和形成于该基板(1)上的半导体外延层构成，所述基板(1)的定向平面(2)的两端(2a)用披覆部件(15)覆盖隐藏至向所述基板内侧伸入规定距离的区域，于此状态下在所述基板上(1)形成外延层，在将所述披覆部件(15)从基板(1)上除去的状态下，没有形成所述外延层的未生长部分存在于所述定向平面(2)的两端(2a)。 | ||
| 申请公布号 | CN100440429C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200610139233.5 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 佐藤薰由;铃木良治 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.半导体外延晶片，其特征为，由具有通过解理形成的定向平面的基板和形成于该基板上的半导体外延层构成，所述基板的定向平面两端是用披覆部件覆盖隐藏至向所述基板内侧伸入0.5mm～1.0mm的区域，于此状态下在所述基板上形成外延层，在将所述披覆部件从基板上除去的状态下，没有形成所述外延层的未生长部分存在于所述定向平面的两端。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||