集成半导体结构

摘要

本发明系关于一种集成半导体结构，其具基板(1)，至少一位于该基板(1)上的半导体组件(2)，具表面(F)的垫金属(3)，位于该垫金属(3)及该基板(1)之间的许多金属层(4.x)，及许多绝缘层(5，y)，其将该金属层(4.x)彼此分开，至少在部分该至少一半导体组件(2)上延伸的该垫金属(3)。本发明特征在于在该垫金属(3)的表面(F)下方，至少该顶部两金属层(4.x、4.x-1)具一种至少包括两相邻的互连(4.x.z、4.x-1.z)的结构。

主权项

1.一种集成半导体结构，具有：基板(1)；至少一个位于所述基板(1)上的半导体组件(2)；具有表面(F)的垫金属(3)；位于所述垫金属(3)和所述基板(1)之间的多个金属层(4.x)；多个绝缘层(5，y)，其将所述金属层(4.x)彼此分开；至少在部分所述至少一个半导体组件(2)上延伸的所述垫金属(3)；及在所述垫金属(3)的表面(F)下方，至少最顶两层金属层(4.x、4.x-1)均具有至少包括两相邻的互连(4.x.z、4.x-1.z)的结构，其中，至少在所述垫金属(3)的表面(F)下方，所述最顶两层金属层(4.x、4.x-1)的互连(4.x.z、4.x-1.z)具有多个孔洞(7.x、7.x-1)，及其中，所述最顶两层金属层(4.x、4.x-1)的互连(4.x.z、4.x-1.z)彼此排列，使得在最顶层的互连(4.x.z)的孔洞(7.x)相对于在下方互连(4.x-1.z)的孔洞(7.x-1)偏位。