非易失性存储装置

摘要

本发明涉及单层栅极型非易失性存储装置，尤其提供写入及擦除等工作性能优越的非易失性存储装置，其包括：由隔离绝缘层划分出第一区域、第二区域及第三区域的第一导电型半导体层；设置在第一区域，起到控制栅作用的第二导电型半导体部；设置在第二区域的第一导电型半导体部；设置在第三区域的第二导电型半导体部；设置在第一～第三区域的半导体层上方的绝缘层；设置在绝缘层上方，横跨第一～第三区域的浮动栅电极；设置在第一区域的浮动栅电极侧旁的第一导电型杂质区域；设置在第二区域的浮动栅电极的侧旁，成为源极区域或漏极区域的第二导电型杂质区域；设置在第三区域的浮动栅电极的侧旁，成为源极区域或漏极区域的第一导电型杂质区域。

主权项

1.一种非易失性存储装置，包括：第一导电型的半导体层，由隔离绝缘层划分出第一区域、第二区域及第三区域；第二导电型的半导体部，设置在所述第一区域中，并起到控制栅的作用；第一导电型的半导体部，设置在所述第二区域中；第二导电型的半导体部，设置在所述第三区域中；绝缘层，设置在所述第一区域～第三区域中的半导体层上方；浮动栅电极，设置在所述绝缘层上方，并横跨所述第一区域～第三区域；第一导电型的杂质区域，设置在所述第一区域中的所述浮动栅电极的侧旁；第二导电型的杂质区域，设置在所述第二区域中的所述浮动栅电极的侧旁，并成为源极区域或者漏极区域；以及，第一导电型的杂质区域，设置在所述第三区域中的所述浮动栅电极的侧旁，并成为源极区域或者漏极区域，所述浮动栅电极和所述第一区域中的所述半导体部相重叠的面积大于所述浮动栅电极和所述第二区域的所述半导体层相重叠的面积。