| 发明名称 | 半导体装置及显示装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供不使薄膜晶体管的工序复杂化且适合批量生产的显示装置的制造方法。通过以氢化硅或卤化硅为原料气体且使用1GHz以上的频率的微波等离子体CVD装置来形成微晶半导体膜，而通过使用该微晶半导体膜形成薄膜晶体管及连接到该薄膜晶体管的显示元件。使用1GHz以上的频率的微波的等离子体的电子密度高，因此可以容易分解原料气体的氢化硅或卤化硅。由此，可以提高显示装置的批量生产性。 | ||
| 申请公布号 | CN101315884A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200810108724.2 | 申请日期 | 2008.05.22 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/77(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成薄膜晶体管的微晶半导体膜，其中所述微晶半导体膜通过使用1GHz以上的频率的微波等离子体CVD装置而形成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||