发明名称 |
交错相移掩模的制造方法 |
摘要 |
可以在短时间内进行交错相移掩模的制造方法。使用多步腐蚀工艺形成180°相移区,然后形成0°相位区。以此顺序形成相移区减少了在方法中要进行的光刻的轮数。 |
申请公布号 |
CN100440430C |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN03140723.4 |
申请日期 |
2003.06.12 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
姜明亚;申仁均 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01);G03F1/08(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
谢丽娜;谷惠敏 |
主权项 |
1.一种具有0°相移区和180°相移区的交错相移掩模的制造方法,方法包括:在透过曝光光线的基板上形成不能透过曝光光线的阻挡层;腐蚀一部分阻挡层和下部的基板以在基板中形成沟槽,沟槽具有当曝光光线在沟槽处穿过基板时相移180°的深度,由此在沟槽形成180°相移区的掩模;以及随后腐蚀阻挡层的另一部分,直到露出基板的另一部分,由此在基板的所述另一部分形成0°相移区的掩模;其中形成180°相移区包括:构图阻挡层的预定部分;使用构图的阻挡层作为掩模腐蚀基板,以及随后清洁基板,以除去残留在腐蚀露出的部分基板上的任何颗粒,其中所述腐蚀阻挡层的另一部分形成0°相移区包括:在基板上形成光致抗蚀剂层,所述光致抗蚀剂层覆盖所述沟槽并露出所述阻挡层的另一部分;以及在覆盖沟槽的同时腐蚀所述露出阻挡层的另一部分。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |