| 发明名称 | 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10-100nm的引出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻，一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成，可有效提高相变存储器的集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN100440535C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200510026541.2 | 申请日期 | 2005.06.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 宋志棠;刘波;徐成;徐嘉庆;刘卫丽;封松林;陈邦明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元，其特征在于可逆相变电阻和场效应晶体管结构上一体化和功能上集成；所述的可逆相变电阻和一个场效应晶体管结构上一体化，为下述两种结构中的任意一种：A在P型双面抛光硅衬底上，漏和源为N型Ge2Sb2Te5薄膜，栅区的可逆相变电阻材料则是通过元素掺杂方法由N型向P型转换的材料；B在N型双面抛光硅衬底上，漏和源为P型Ge2Sb2Te5薄膜，栅区的可逆相变电阻材料则是通过元素掺杂方法由P型向N型转换的材料。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||