发明名称 |
垂直磁记录介质、其制造方法及磁存储器件 |
摘要 |
本发明公开了一种包括具有柱状颗粒结构的记录层的垂直磁记录介质,所述柱状颗粒结构具有磁性颗粒的适当的直径分布和均匀排列。所述垂直磁记录介质包括衬底和依次堆叠在衬底上的软磁底层、籽层、底层、记录层、保护膜及润滑层。所述底层包括由Ru或Ru合金形成的粒状晶体和使粒状晶体彼此分开,以至于隔离每个粒状晶体的间隙。在所述底层下面可以提供由Ru或Ru合金形成的连续薄膜。 |
申请公布号 |
CN100440325C |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200510070269.8 |
申请日期 |
2005.05.13 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
向井良一 |
分类号 |
G11B5/667(2006.01);G11B5/73(2006.01);G11B5/84(2006.01);G11B5/851(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/667(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1、一种垂直磁记录介质,所述介质包含:衬底;衬底上的软磁底层;软磁底层上由无定形材料形成的籽层;籽层上由Ru或Ru合金形成的底层,所述底层包括多个粒状晶体、以及多个使粒状晶体彼此隔离的间隙,其中每个粒状晶体在垂直于衬底表面的方向上生长;以及底层上的记录层,所述记录层包括多个磁性颗粒、以及多个使磁性颗粒彼此隔离的非磁性不混溶相,其中每个磁性颗粒具有基本上垂直于衬底表面的易磁化轴。 |
地址 |
日本神奈川 |