半导体装置的制造方法及其制造装置

摘要

一种半导体装置的制造方法，在半导体晶片(11)上，通过栅极绝缘膜(14A)形成栅电极(15A)后，再在栅电极(15A)的侧面形成第1侧壁(16A)。以栅电极(15A)及第1侧壁(16A)为掩模，使用批处理式离子注入装置，注入第1导电性的杂质离子，从而形成扩散区(17)。在形成扩散区(17)之际，将杂质离子的注入方向设定成垂直于半导体晶片(11)，并且分作4次进行离子注入，在每次的离子注入时，使半导体晶片(11)旋转90°。能够在形成与源极扩散区及漏极扩散区连接的低浓度的扩展区之际，以令人满意的合格率形成对栅电极而言对称性良好的扩展区。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体晶片上形成第1导电型的半导体区的工序；在所述半导体区上，形成栅电极的工序；在所述半导体区之上，在包括栅电极之上在内的整个面上形成第1绝缘膜的工序；从上面侧通过腐蚀去掉所述第1绝缘膜，从而由所述第1绝缘膜形成覆盖所述栅电极的侧面的第1侧壁的工序；以及使用可以将多枚所述半导体晶片作为一批处理的离子注入装置，同时向所述半导体区注入第2导电型的第1杂质离子，从而在所述半导体区中的所述栅电极的两侧，形成第1杂质扩散区的工序，在形成所述第1杂质扩散区的工序中，分作多次进行所述第1杂质离子的注入，在每次的离子注入之际，将所述半导体晶片在其晶片面内利用晶片回转单元回转。