制作绝缘浅沟槽的方法

摘要

本发明提供一种制作绝缘浅沟槽之方法，首先提供包含至少一深沟渠之一基底，然后于深沟渠之上部内形成一盖层。接着进行一斜角度离子布植制程，以于部分盖层表面形成一硬皮层，再进行一蚀刻制程，移除未被硬皮层所覆盖之盖层以及其下方填于深沟渠内之部分导电层，以形成一浅沟渠结构。最后于浅沟渠结构内形成一绝缘层。