包含含有芳香族缩合环之树脂的微影蚀刻用之光阻下层膜形成用组成物

摘要

本发明系提供一种随着光阻图型之微细化，为防止光阻图型显像后倾倒，适用于薄膜光阻的多层膜制程，相较于光阻或半导体基板，具有小的乾蚀刻速度，加工基板时，对于加工基板，具有充分耐蚀刻性之微影蚀刻用光阻下层膜形成用组成物。本发明系提供一种使用于以多层膜所进行的微影蚀刻制程之光阻下层膜形成用组成物；而该多层膜系含有：具有芳香族缩合环之单元构造、具有被保护之羧基的单元构造、具有氧环之单元构造的聚合物。使用此光阻下层膜形成用组成物之图型形成方法、及利用图型形成方法之半导体装置的制成方法。