高介电系数金属闸极元件和制造方法

摘要

一具有功函数值约等于或小于4.3或4.4eV的P型金属材料层形成于高介电系数介电层之上。部分的N型金属层添加例如是氧、氮、碳、矽或其他物后，转换成P型金属材料，成为一具有高功函数值值约等于或大于4.7或4.8eV的P型金属材料。利用这项技术可使一碳化钽薄膜转换成碳氮化钽、碳氮化钽、或碳氮氧化钽。包含原始N型金属部分和已转换的P型金属部份的材料层利用单一图刻操作以同时在未转换的N型金属区域和已转换的P型金属区域形成半导体元件。