| 摘要 |
本发明揭示一种使用不同曝光图案之微影蚀刻方法。一方面，经由同一遮罩让在一基板上之一光敏层经受使用具有一诸如一x双极图案之第一曝光图案的光学元件之一第一曝光以及随后使用具有一诸如一y双极图案之第二曝光图案的光学元件之曝光，而且该光敏层系相对于该遮罩而固定。在一方法中，可以藉由使用157至193 nm的紫外线光以及超数值孔径光学元件在该光敏层下方之一层中形成具有一约70至150 nm间距之一二维栏柱图案。另一方面，在该等第一与第二曝光两者过后执行硬烘焙以抹除在该第一曝光后光阻之一记忆效应。另一方面，在该等第一与第二曝光两者过后执行对在该光敏层下方之一硬遮罩之蚀刻。 |
