发明名称 | 记忆胞其侧壁接触侧电极 | ||
摘要 | 一种记忆胞包括记忆胞层位于记忆胞存取层之上。记忆胞存取层包括底电极。记忆胞层包括介电层与侧电极并至少有部分系定义出开口,记忆元件位于开口之内。记忆元件包括记忆材料系藉由施加之能量转换电特性状态。记忆元件与侧电极及底电极电性连接。在一些例子中记忆元件具有柱状外型,其横向宽度维持定值,且侧电极与介电层环绕并接触记忆元件之第一区及第二区。 | ||
申请公布号 | TW200847495 | 申请公布日期 | 2008.12.01 |
申请号 | TW096118446 | 申请日期 | 2007.05.23 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |