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发明名称
立式发光二极体装置结构
摘要
一种相较于知LEDs及VLEDs可给予增加之发光效率的立式发光二极体(VLED,vertical light-emitting diode)结构。相较于知装置,某些实施例可具有较不受静电放电(ESD,electrostatic discharge)影响及较高制造良率的附加好处。为了达到这些好处,本发明之实施例可在VLED结构中,利用一间隔物或其他装置来将p掺杂层从活性层分开,因而增加活性层与反射层之间的距离。
申请公布号
TW200847462
申请公布日期
2008.12.01
申请号
TW096117545
申请日期
2007.05.17
申请人
旭明光电股份有限公司
发明人
陈长安
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科中路13号7楼
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