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发明名称
具有混合接触点的半导体元件及其制造方法
摘要
本发明系揭露一种供半导体元件用的混合接触点。混合接触点包含直流传导电极以及电容电极。直流传导电极系贴附于半导体元件中的半导体层。电容电极系部分位于直流传导电极上方,并由直流传导电极往外延伸。本发明并揭露一种制造具有混合接触点的半导体元件的方法。此方法包含在半导体结构中的半导体层上形成混合接触点。混合接触点系藉由形成贴附于半导体结构中之半导体层上的直流传导电极,并形成部分位于该直流传导电极上方,由该直流传导电极往外延伸的电容电极而形成。混合接触点并提供半导体层结合电阻-电容的耦合。
申请公布号
TW200847434
申请公布日期
2008.12.01
申请号
TW097106194
申请日期
2008.02.22
申请人
感应电子科技股份有限公司
发明人
格里戈里 斯敏;麦克 舒尔;雷米吉斯 格斯卡
分类号
H01L29/78(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01)
主分类号
H01L29/78(2006.01)
代理机构
代理人
陶霖;谢志敏
主权项
地址
美国
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