| 摘要 |
[课题]提供一种可高度地维持半导体制造装置用晶座的平面度，又同时能在制造过程中不成为污染源、耐热性高之接合剂。[解决手段]接合剂4系由加成硬化型聚矽氧烷黏着剂构成的硬化片体所形成，加成硬化型聚矽氧烷黏着剂包括：聚有机矽氧烷，于1分子中含有2个以上之乙烯基；聚有机矽氧烷树脂，含有R#sB!3#eB!SiO#sB!1/2#eB!（R为不具有脂肪族不饱合键之碳数1～6的1价烃基）单元（以下用M表示）以及SiO#sB!4/2#eB!单元（以下用Q表示），且R#sB!3#eB!SiO#sB!1/2#eB!单元/SiO#sB!4/2#eB!单元的莫耳比（M/Q比）比例在0.6以上、1.6以下的范围内；聚有机矽氧烷氢化二烯，含有矽原子键结氢原子；白金触媒；以及热传导性填充物，具有20体积％以上、50体积％以下之含有率。 |
