电浆蚀刻方法、电浆蚀刻装置、控制程式及电脑记忆媒体

摘要

〔课题〕提供一种电浆蚀刻方法，在有机膜上层，隔着由含矽膜所构成之掩膜，电浆蚀刻有机膜时，可以抑制有机膜侧壁部分发生沟壁内凹或蚀刻不足的情形，并得到良好的蚀刻图案。〔解决方案〕以图案化之SiON膜103为掩膜，电浆蚀刻有机膜102，形成开口108。在电浆蚀刻有机膜102时，处理气体则使用包括含氧（O）气体、稀有气体、及氟化碳气体（CF系列气体）所形成之混合气体。