| 摘要 |
提供一用于形成一半导体装置的方法。该方法包括形成一闸极结构，其上覆于一基板上。该方法进一步地包括形成一侧壁间隔件，其与该闸极结构相邻。该方法进一步地包括在该半导体装置之一源极侧的一方向上执行一有角度植入作业。该方法进一步地包括将该半导体装置退火。该方法进一步地包括于该基板中与该侧壁间隔件之相对端部相邻形成凹部，用以露出一第一类型之半导体材料。该方法进一步地包括于该等凹部中磊晶成长一第二类型之半导体材料，其中该第二类型之半导体材料的一晶格常数与该第一类型之半导体材料的一晶格常数不同，于该半导体装置之一通道区域中产生应力。 |
