制造非挥发性电荷撷取记忆体装置之单一晶圆程序

摘要

本发明描述一种制造非挥发性电荷撷取记忆体装置之方法。该方法包括首先在一单一晶圆丛集工具之第一处理腔室中于一基板上形成一穿隧介电层。接着在该单一晶圆丛集工具之第二处理腔室中于该穿隧介电层上形成一电荷撷取层。接着在该单一晶圆丛集工具之第二处理腔室或第三处理腔室中于该电荷撷取层上形成一顶部介电层。