形成浅接合的技术

摘要

本发明揭露形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合之方法。此方法可包括生成包括分子离子之离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出之一或多种物质：二锗烷(Ge#sB!2#eB!H#sB!6#eB!)、氮化锗(Ge#sB!3#eB!N#sB!4#eB!)、锗-氟化合物(GeF#sB!n#eB!，其中n=1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶圆。