相变化记忆体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种相变化记忆体装置，包括：一基板；复数个彼此隔离之底电极，位于上述基板上；一绝缘层，横跨于上述相邻之任两个底电极的部分表面上；一对相变化材料间隙壁，位于上述绝缘层的一对侧壁上，其中上述对相变化材料间隙壁系分别位于上述相邻之任两个底电极上；一顶电极，位于上述绝缘层上，且覆盖上述对相变化材料间隙壁。