制作快闪记忆体的方法

摘要

本发明提供一种制作快闪记忆体之方法。首先提供一半导体基底，其表面包含一氧化层、二堆叠结构、二侧壁子以及一源极。堆叠结构包含一浮置闸极、一介电层、一控制闸极以及一盖层。接着于半导体基底上形成一导电层，然后使导电层表面氧化而形成一氧化层，再进行一非等向性蚀刻制程，移除高于该等堆叠结构之导电层与氧化层，以于堆叠结构之间形成一抹除闸极，并且于各该堆叠结构相反于抹除闸极之一侧分别形成一字元线。