| 摘要 |
揭示一发光装置(LED)，该发光装置包括一设置在由分别具有一不同类型之搀杂的半导体材料组成的第一层与第二层之间的光产生层。第一层的一上表面有一盖瓦配置，该盖瓦配置由一半导体材料组成的角锥型或截锥型突出部构成且该突出部被折射率不同的材料包围，或是该发光装置具有一盖瓦配置，该盖瓦配置为半导体材料中由一折射率不同材料所填充的倒锥体或倒截锥体凹痕所构成。两者皆包含光子带结构。该突出部或凹痕以及其盖瓦配置系在结构上配置成可经第一层之上表面有效以一光束汲出光，具有一实质上比从一朗伯特光源更具方向性的发射分布。一增强之装置应用一位于第二层下方之反射器俾利用微腔效应。同时也揭示制造该装置的方法，该方法使用等向性湿蚀刻制成角锥型突出部或倒角锥型凹痕。 |
