相变化记忆体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种相变化记忆体装置及其制造方法。上述相变化记忆体装置包括一相变化记忆胞阵列。各相变化记忆胞包括一电晶体元件设置于一基板上。一直立式电极结构与电晶体元件电性相连，以及一直立式记忆层与该直立式电极结构上下直立形式堆叠并于一接触点接触，其中该接触点做为相变化记忆胞作用之相变化位置。