半导体装置的结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的结构，包括：一基底；至少两个深沟槽电容器，形成于该基底中；一嵌入式闸极，形成于该基底中，且位于该些深沟槽电容器之间；一埋入带，形成在该基底中，且位于该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极之间；复数个字元线结构，位于该基底上且跨过该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极；一掺杂之矽晶层，形成于该基底上，且位于该些字元线结构之间，其中该掺杂之矽晶层系作为一源/汲极区。