发明名称 | 离子源组件 | ||
摘要 | 本发明涉及一种离子源组件,该离子源组件包括冷阴极、栅极及离子加速极,冷阴极、栅极及离子加速极分别相向间隔设置,该栅极位于冷阴极与离子加速极之间,其中,冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米。该离子源组件的冷阴极采用奈米碳管作为场发射薄膜来发射电子,因此其具有低功耗、低放气率、发射电子稳定及抗离子轰击等优点。 | ||
申请公布号 | TW200847218 | 申请公布日期 | 2008.12.01 |
申请号 | TW096118738 | 申请日期 | 2007.05.25 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 肖林;杨远超;潜力;刘亮;陈丕瑾;胡昭复;范守善 |
分类号 | H01J27/02(2006.01) | 主分类号 | H01J27/02(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |