发明名称 离子源组件
摘要 本发明涉及一种离子源组件,该离子源组件包括冷阴极、栅极及离子加速极,冷阴极、栅极及离子加速极分别相向间隔设置,该栅极位于冷阴极与离子加速极之间,其中,冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米。该离子源组件的冷阴极采用奈米碳管作为场发射薄膜来发射电子,因此其具有低功耗、低放气率、发射电子稳定及抗离子轰击等优点。
申请公布号 TW200847218 申请公布日期 2008.12.01
申请号 TW096118738 申请日期 2007.05.25
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 肖林;杨远超;潜力;刘亮;陈丕瑾;胡昭复;范守善
分类号 H01J27/02(2006.01) 主分类号 H01J27/02(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街2号