| 摘要 |
一种用以选择性地对一记忆体装置提供电源的方法被提供以改良静态随机存取记忆体(SRAM)胞元之写入性，而不会不利地危及它们的稳定性。例如，各种分裂电源开关电路及方法被用以允许与一SRAM胞元之一侧连接的一电源供应线之电压或电流在写入操作期间降低。此降低弱化了该SRAM胞元之一侧且减少了该SRAM胞元之电晶体与外部写入电路之间的驱动斗争。因此，将新的逻辑状态写入该SRAM胞元的最小电压被减少以允许整体降低该SRAM胞元及相关电路之操作电压。藉由继续将该SRAM胞元之一第二侧维持在该参考电压或电流，该SRAM胞元可成功地转换到一新写入的逻辑状态。 |
