半导体雷射之制造方法

摘要

〔课题〕本发明系提供可将晶圆依所需位置施行劈裂的半导体雷射之制造方法。〔解决手段〕在GaN晶圆11上，形成设有复数脊形部13的半导体层。在脊形部13与切割标记16之间，且与切割标记16同一直线上，设置沟渠19。沟渠19系相对于切割标记16，设置在劈裂方向的下游侧。沟渠19最好形成劈裂方向的下游侧端部朝外侧呈凸状的形状，且该形状的顶点系位于欲劈裂的线上，从该顶点所延伸出的轮廓线并不平行于从劈裂方向偏60度的方向。