Halbleiterelement

摘要

Ein Halbleiterelement (1) weist eine Halbleiterschicht (10) mit einer ersten Dotierungsdichte, einer Metallisierung (12) und einem Kontaktbereich (14) zwischen der Halbleiterschicht (10) und der Metallisierung (12) auf, wobei der Kontaktbereich (14) zumindest einen ersten Halbleiterbereich (16) aufweist, wobei der erste Halbleiterbereich (16) eine zweite Dotierungsdichte aufweist, die höher als die erste Dotierungsdichte ist und zumindest einen zweiten Halbleiterbereich (18) in der Halbleiterschicht (10) in Kontakt mit der Metallisierung (12) aufweist, der einen geringeren ohmschen Widerstand zu der Metallisierung (12) liefert als ein direkter Kontakt zwischen der Halbleiterschicht (10) und der Metallisierung (12) liefert oder liefern würde und der eine geringere Injektionsneigung aufweist als der erste Halbleiterbereich (16).