Fotoempfindliches Halbleiterbauelement

摘要

Bei einem Halbleiterbauelement (1) mit einer fotoempfindlichen dotierten Halbleiterschicht (2), in der bei Absorption elektromagnetischer Strahlung (6) elektrische Ladungsträger freigesetzt werden, weist die fotoempfindliche Halbleiterschicht (2) eine strukturierte Grenzfläche (7) auf. Der strukturierten Grenzfläche (7) ist mindestens eine Schicht (3) nachgeordnet, die ein elektrisches Feld zur Trennung der freigesetzten Ladungsträger erzeugt, wobei sich das elektrische Feld über die strukturierte Grenzfläche (7) erstreckt. Das fotoempfindliche Halbleiterbauelement (1) zeichnet sich durch eine hohe Effizienz der Ladungsträgertrennung, insbesondere zur Erzeugung eines elektrischen Stroms, aus.