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Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Dotierung und Beschichtung von Halbleitermaterial bei niedrigem Druck in einem Prozessrohr, das mit einem Rohrverschluss sowie Einrichtungen zur Zu- und Ableitung von Prozessgasen und zur Erzeugung eines Unterdruckes im Prozessrohr versehen ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Dotierung und Beschichtung von Halbleitermaterial bei niedrigem Druck in einem Prozessrohr zu schaffen, bei der die eingangs genannten Nachteile vermieden werden. Erreicht wird das dadurch, dass ein in Bezug auf die Prozessgase gasdichter Abschluss des Prozessraumes (1) und die vakuumdichte Abdichtung des Rohrverschlusses (2) gegenüber der Atmosphäre in koaxialer Anordnung räumlich voneinander getrennt auf einer Seite des Prozessrohres (3) angeordnet sind und dass sich die Einrichtungen zur Zu- und Ableitung der Prozessgase am gegenüberliegenden Ende des Prozessrohres (3) befinden.
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