| 发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102005014714(B4) |
申请公布日期 |
2008.11.27 |
| 申请号 |
DE200510014714 |
申请日期 |
2005.03.31 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K. |
发明人 |
TOMOMATSU, YOSHIFUMI;TAKAHASHI, HIDEKI;TADOKORO, CHIHIRO |
| 分类号 |
H01L29/739;H01L29/78;H01L21/331;H01L27/082;H01L27/102;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/70;H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/11;H01L31/113;H01L31/119 |
主分类号 |
H01L29/739 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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