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Bei der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleitereinrichtung (1, 2) vorgeschlagen, mit: Element- oder Bauelementisolationsbereichen oder -gebieten (13), ausgebildet in einem Zustand, in welchem sie in einem Halbleitersubstrat (11) verborgen oder vergraben sind derart, dass ein Element- oder Bauelementausbildungsbereich oder -gebiet (12) des Halbleitersubstrats (11) zwischen den Element- oder Bauelementisolationsbereichen oder -gebieten (13) angeordnet ist, mit einer Gateelektrode (22), welche auf dem Element- oder Bauelementausbildungsbereich oder -gebiet (12) ausgebildet ist, wobei eine Gateisolationsschicht (21) zwischen der Gateelektrode (22) und dem Element- oder Bauelementausbildungsbereich oder -gebiet (12) angeordnet ist und wobei die Gateelektrode (22) derart ausgebildet ist, dass sie den Element- oder Bauelementausbildungsbereich oder -gebiet (12) kreuzt oder überquert und mit Sourcedrainbereichen oder -gebieten (27, 28), die in dem Element- oder Bauelementausbildungsbereich oder -gebiet (12) auf beiden Seiten der Gateelektrode (22) ausgebildet sind, wobei ein Kanalbereich oder Kanalgebiet (14), welches gebildet wird vom Element- oder Bauelementausbildungsbereich oder -gebiet (12) unter der Gateelektrode (22) so ausgebildet ist, dass es von den Element- oder Bauelementisolationsbereichen oder -gebieten (13) hervorsteht und wobei die Sourcedrainbereiche oder -gebiete (27, 28) an einer Stelle oder zu einer Stelle ausgebildet sind, die tiefer liegt als die ...
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