| 发明名称 | 具有较好短沟道效应控制的MOS晶体管及其相应制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路，所述集成电路包含至少一个MOS晶体管(T)，所述MOS晶体包括栅极(GR)，所述栅极具有与栅氧化物层接触的底部。所述底部在源区和漏区之间沿所述栅极的长度具有不均匀的功函数(WF<SUB>B</SUB>、WF<SUB>A</SUB>)，在所述栅极末端的功函数的值大于在所述栅极的功函数的值。所述栅极在含有第一材料(A)，在其余部分中含有第二材料(B)。这种结构例如通过硅化实现。 | ||
| 申请公布号 | CN101313386A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200680037078.4 | 申请日期 | 2006.12.07 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | 马库斯·穆勒;亚历山大·蒙东特;阿尔诺·波亚德巴士奎 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 褚海英;陈桂香 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，所述集成电路包含至少一个MOS晶体管(T)，所述MOS晶体管包括栅极(GR)，所述栅极(GR)具有与栅介电层相接触的底部，所述底部在源区和漏区之间沿所述栅极的长度具有不均匀的功函数(WFB，WFA)，其特征在于，所述栅极在中心区域中包含第一材料(A)并且在所述栅极的其余部分中包含第二材料(B)，所述中心区域位于与所述介电层接触的所述栅极的底部的中央。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||