| 发明名称 | 钇铁石榴石薄膜结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 钇铁石榴石薄膜结构，属于电子材料领域，它特别涉及钇铁石榴石薄膜材料的射频磁控溅射制备方法。本发明包括Si基片和其上的钇铁石榴石薄膜层，在Si基片和钇铁石榴石薄膜层之间还有CeO<SUB>2</SUB>过渡层。本发明具有以下优点：薄膜的表面得到很大程度的改善，表面粗糙度明显减小。薄膜的饱和磁化强度和剩余磁化强度提高，矫顽力下降。 | ||
| 申请公布号 | CN101311374A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200810044302.3 | 申请日期 | 2008.04.28 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 杨青慧;张怀武;刘颖力;文岐业;李元勋;贾利军;唐晓莉 |
| 分类号 | C30B29/28(2006.01);C30B23/08(2006.01);H01F10/24(2006.01);H01F41/28(2006.01) | 主分类号 | C30B29/28(2006.01) |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | 1、钇铁石榴石薄膜结构，包括Si基片和其上的钇铁石榴石薄膜层，其特征在于，在Si基片和钇铁石榴石薄膜层之间还有CeO2过渡层。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路二段4号 | ||