发明名称 二元束操控装置
摘要 用于操控电磁束的元件。该元件包括与多层光学堆栈中的介电层和其它层结合的相变材料。该相变材料可以在两个或多个结构状态之间可逆地转换,其中不同的结构状态根据折射率和/或消光系数而不同。相变材料的结构状态建立元件的相角状态,该相角状态指示由入射电磁束产生的输出束的传播方向。根据该结构状态,该元件采用两个主要相角状态之一,并且实现二元束操控能力,其中可以在两个方向中的任一方向上重定向入射电磁束。在优选实施例中,输出束是反射束,并且该元件包括夹在两个介电材料之间的并由金属层支承的相变材料。
申请公布号 CN100437321C 申请公布日期 2008.11.26
申请号 CN200580025724.0 申请日期 2005.07.26
申请人 能源变换设备有限公司 发明人 D·V·朱
分类号 G02F1/31(2006.01) 主分类号 G02F1/31(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢江;魏军
主权项 1、用于引导入射电磁束的元件,包括:第一介电层;形成在所述第一介电层上的有源层;以及形成在所述有源层上的第二介电层;其中所述有源层包括多个相变区域,所述相变区域包括相变材料,所述相变材料具有:第一结晶形式;和第二结晶形式,所述相变区域具有多个结构状态,所述结构状态中的每一个都包括:所述第一结晶形式的体积分数;和所述第二结晶形式的体积分数;所述相变区域具有:第一相角状态,提供第一相角间隔,并且包括跨越所述第一结晶形式的第一体积分数范围的所述结构状态的第一子集;和第二相角状态,提供第二相角间隔,并且包括跨越所述第一结晶形式的第二体积分数范围的所述结构状态的第二子集;其中:所述第一体积分数范围和所述第二体积分数范围不重叠;所述第一体积分数范围和所述第二体积分数范围之间的体积分数差小于或等于20体积百分比,并且对应于所述体积分数差的相角差是至少45°。
地址 美国密歇根州