| 发明名称 | 浅沟槽隔离区形成方法、浅沟槽隔离区结构及膜层形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离区形成方法，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；确定隔离层参数；确定与所述参数对应的隔离层分布，所述隔离层包含至少一层压应力膜层和至少一层拉应力膜层，所述压应力膜层和拉应力膜层间隔相接；以所述隔离层分布沉积隔离层内压应力膜层和拉应力膜层，所述隔离层覆盖所述浅沟槽。可形成具有满足产品应力改善要求的隔离层的浅沟槽隔离区；本发明还提供了一种浅沟槽隔离区结构，所述浅沟槽隔离区具有满足产品应力改善要求的隔离层；本发明还提供了一种膜层形成方法，可形成满足产品应力改善要求的膜层。 | ||
| 申请公布号 | CN101312146A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710040982.7 | 申请日期 | 2007.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘明源;郭佳衢 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1.一种浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；确定隔离层参数；确定与所述参数对应的隔离层分布，所述隔离层包含至少一层压应力膜层和至少一层拉应力膜层，所述压应力膜层和拉应力膜层间隔相接；根据所述隔离层分布沉积隔离层内压应力膜层和拉应力膜层，所述隔离层覆盖所述浅沟槽。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||