| 发明名称 | 一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元，包括：硅衬底1、位于硅衬底1两端上重掺杂的源导电区6和漏导电区7、源导电区6与漏导电区7之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层2、覆盖在隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层3、覆盖在纳米晶电荷存储层上的控制栅介质层4以及覆盖在控制栅介质层上的栅材料层5。本发明同时公开了一种制作纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元的方法。利用本发明，提高了浮栅结构的非挥发性存储单元的编程/擦除速度、有效存储能力、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能，本发明的方法基于传统CMOS工艺，并且制作工艺简单，提高了制作效率，降低了制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101312213A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710099545.2 | 申请日期 | 2007.05.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 胡媛;刘明;龙世兵;杨清华;管伟华;李志刚;刘琦 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元，其特征在于，该存储单元包括：硅衬底(1)、硅衬底(1)上重掺杂的源导电区(6)和漏导电区(7)、源导电区(6)与漏导电区(7)之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层(2)、覆盖在隧穿介质层(2)上的纳米晶电荷存储层(3)、覆盖在纳米晶电荷存储层(3)上的控制栅介质层(4)以及覆盖在控制栅介质层(4)上的栅材料层(5)。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||