| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有包括栅极形成区、源极形成区和漏极形成区的有源区的半导体基板。在栅极区中形成凹槽。栅极形成在具有凹槽的栅极形成区上，并且包括在与源极形成区接触的凹槽侧壁的上端部分形成绝缘层。在栅极的两相对侧的有源区中形成源极区和漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN101312209A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710148376.7 | 申请日期 | 2007.08.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 千成吉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：半导体基板，包括包含栅极形成区、源极形成区和漏极形成区的有源区，所述栅极形成区形成有凹槽；栅极，形成于形成有凹槽的栅极形成区上，所述栅极包括在所述凹槽侧壁的上端部分形成的绝缘层，所述凹槽侧壁的上端部分与所述源极形成区接触；和源极区和漏极区，形成于所述栅极的两相对侧上的所述有源区中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||