| 发明名称 | 浸润式光刻之方法与系统 | ||
| 摘要 | 一种浸润式光刻系统100与方法，其中浸润之媒介112与近接端110之透镜接合，此近接端110之透镜聚焦图案化光束于光敏材料116上，且保护膜300覆盖在光敏材料116上，而此保护膜300与浸润之媒介112接合。 | ||
| 申请公布号 | CN100437356C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200410074260.X | 申请日期 | 2004.09.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林佳惠;杨育佳 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民;路小龙 |
| 主权项 | 1.一种浸润式光刻(Immersion Lithography)系统，至少包括：一光源；一成像模组；一基材，其中该基材上设有一光敏材料以及一保护膜覆盖在该光敏材料上，且该光敏材料浸在一浸润媒介中，该成像模组发射一图案至该光敏材料上；以及一浸润媒介，介于该保护膜与该成像模组之间，其中该保护膜对于该浸润媒介可溶，且该保护膜具有一预设厚度，而该预设厚度超过该保护膜于该浸润媒介中所溶解而蚀刻移除之厚度，其中该成像模组与该光源透过该保护膜与该浸润媒介发射该图案与该光敏材料上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||