| 发明名称 | 存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括：具有沟槽的衬底；形成在所述沟槽下方的位线接触结；形成在所述沟槽外的多个储存节点接触结；及多个栅结构，每个所述栅结构形成在位于所述位线接触结及一个所述储存节点接触结之间的衬底上。特别地，所述沟槽的每个侧壁成为各个沟道的一部分，由此所述胞区内晶体管的沟道长度被延长。亦即，每两个所述储存节点接触结与所述沟道区之间的距离增大。由此，所述储存节点接触结的漏电流水平降低，从而提高了数据的保持时间。 | ||
| 申请公布号 | CN100438036C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200510064441.9 | 申请日期 | 2005.04.15 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 张世亿;郑台愚;金瑞玟;金愚镇;朴滢淳;金荣福;梁洪善;孙贤哲;黄应林 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括：具有沟槽的衬底；形成在所述沟槽下方的位线接触结；形成在所述沟槽外的多个储存节点接触结；及多个栅结构，其每个形成在位于所述位线接触结和一个储存节点接触结之间的衬底上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||