发明名称 |
光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 |
摘要 |
一种光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器,其目的在于防止在安装时因光检测部的损伤而引起杂音的发生。这种光电二极管阵列,是在n型硅基板(3)的被检测光的入射面侧,以阵列状而形成有多个光电二极管(4),并且在光电二极管(4)形成有贯通入射面侧和其背面侧的贯通配线(8),其中,在其入射面侧设置有比各光电二极管(4)的非形成区域更凹陷的具有规定深度的凹部(6),在其凹部(6)设置光电二极管(4)来形成光电二极管阵列(1)。 |
申请公布号 |
CN100438053C |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200480006747.2 |
申请日期 |
2004.03.10 |
申请人 |
浜松光子学株式会社 |
发明人 |
柴山胜己 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L31/10(2006.01);G01T1/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
1.一种光电二极管阵列,其特征在于,包括:在被检测光的入射面侧以阵列状形成有多个光电二极管的半导体基板,其中,在所述半导体基板的所述入射面侧,形成具有规定深度的凹部,在所述凹部形成有所述光电二极管,在比所述凹部突出且未形成有所述光电二极管的区域,形成有贯通所述半导体基板的所述入射面侧和其背面侧,并且与所述光电二极管电气连接的贯通配线。 |
地址 |
日本国静冈县 |