用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法

摘要

一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，为生长InAlGaN提供与衬底相同取向的成核中心；5)降低衬底的温度；6)在成核层上生长InAlGaN层。

主权项

1.一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底，该衬底为蓝宝石衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层，该氮化层的材料为AlN，生长氮化层时，衬底的温度为600-800℃，压力为1.33-6.65×10-3Pa，氮化层的生长厚度为0.002-0.05μm；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，为生长InAlGaN提供与衬底相同取向的成核中心，该成核层的材料为AlN，该成核层的生长温度为700-800℃，压力为1.33-4.65×10-3Pa，成核层的生长厚度为0.002-0.05μm；5)降低衬底的温度；6)在成核层上生长InAlGaN层，其中InAlGaN层的生长温度为500-650℃，压力为1.33-4.65×10-3Pa，InAlGaN层的生长厚度为0.05-0.2μm。