非易失性存储单元阵列的操作方法

摘要

一种非易失性存储单元阵列的操作方法，适用于操作NAND型存储单元阵列，其中各个存储单元具有电荷陷入层。在进行此非易失性存储单元阵列的操作时，利用F-N穿隧效应进行整个存储单元阵列的擦除，并利用热电洞注入效应进行单一存储单元单一位的编码。由于采用F-N穿隧效应，其电子注入效率较高，故可以降低擦除时的存储单元电流，并同时能提高操作速度。而且，电流消耗小，可有效降低整个芯片的功率损耗。

主权项

1、一种非易失性存储单元阵列的操作方法，该非易失性存储单元阵列包括复数个存储单元列，各该存储单元列中的该些存储单元串联连接于一第一选择晶体管与一第二选择晶体管之间；各该存储单元至少包括具一基底、一源极区、一漏极区、一电荷陷入层与一栅极；复数字线在行方向平行排列，且连接同一行的该些存储单元的该栅极；复数上位线分别连接各该些第一选择晶体管的源极；复数下位线分别连接各该些第二选择晶体管的漏极；一第一选择栅极线连接同一行的该些第一选择晶体管的栅极，一第二选择栅极线连接同一行的该些第二选择晶体管的栅极；其特征在于该方法包括：在进行擦除操作时，于该些字线上施加一第一电压，于该些存储单元的该基底上施加一第二电压，该第一电压与该第二电压的电压差足以使电子注入该些存储单元的该电荷陷入层，以进行整个存储单元阵列的擦除；进行编程操作时，于选定的该存储单元所耦接的该字线上施加一第三电压，非选定该些字线上施加一第四电压，以打开该些存储单元的信道，于选定的该上位线施加一第五电压，非选定该些上位线与该些下位线施加一第六电压，以利用热电洞注入效应编程该存储单元的一源极侧位；以及进行读取操作时，于选定的该存储单元所耦接的该字线上施加一第七电压，非选定该些字线上施加一第八电压，以打开该些存储单元的信道，于选定的该下位线施加一第九电压，非选定该些上位线与该些下位线施加一第十电压，以读取该存储单元的该源极侧位。