| 发明名称 | 包含底栅极薄膜晶体管的电子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包含底栅极TFT(12)的电子器件的制造方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成一个掺杂的非晶体硅栅极层(26′)，此栅极层限定栅极(26)，在栅极上形成一个栅极绝缘层(32)，在栅极绝缘层上形成一个非晶体硅活性层(28′)并覆盖至少部分栅极，并将非晶体硅活性层退火以形成多晶硅活性层(28)。可以采用较薄的栅极绝缘层使TFT具有低的阈电压。 | ||
| 申请公布号 | CN100438076C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN03809844.X | 申请日期 | 2003.04.25 |
| 申请人 | 统宝香港控股有限公司 | 发明人 | N·D·扬 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1.一种制造包含底栅极薄膜晶体管(12)的电子器件的方法，它包括以下步骤：---在衬底(30)上形成一个掺杂非晶体硅栅极层(26′)，所述栅极层确定栅极(26)；---在栅极上形成一个栅极绝缘层(32)；---在栅极绝缘层上形成一个非晶体硅活性层(28′)并覆盖栅极的至少一部分；以及---将非晶体硅活性层退火以形成多晶硅活性层(28)；其中，退火使得一部分未被非晶体硅活性层覆盖的栅极层成为多晶体。 | ||
| 地址 | 香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 | ||