发明名称 |
树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极 |
摘要 |
树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极,涉及一种发光二极管芯片,尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展,而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极,在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽,将芯片分成至少2个小区域的集合,在P型GaN的表面生长一层透明导电层,在透明导电层上淀积P型电极,在沟槽内淀积N型电极,N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状,P型电极环绕在芯片的边缘,并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散,提高发光效率。 |
申请公布号 |
CN100438108C |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200610092944.1 |
申请日期 |
2006.06.15 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
刘学林;康俊勇 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
1.大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极,其特征在于,在P型GaN外延片的正面刻蚀出沟槽;在所述P型GaN外延片的表面上生长一层透明导电层,在所述透明导电层上淀积P型电极,在所述沟槽内淀积N型电极;其中,P型电极环绕在芯片的边缘,并有触角伸出;所述沟槽由1根沿对角线的对角线沟槽和与对角线沟槽垂直的2根相互平行的沟槽构成;相应的N型电极由1根对角线N型电极和与对角线N型电极垂直的2根相互平行的N型电极构成。 |
地址 |
361005福建省厦门市思明南路422号 |