| 发明名称 | 硅片研磨表面应力消减方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅片研磨表面应力消减方法，包括将待研磨硅片夹持到研磨机的研磨盘上，向研磨盘和硅片间加注研磨液，启动研磨机，对研磨机施加压力，控制研磨机转速及硅片表面温度，对待研磨硅片表面进行研磨；其改进之处是，所述研磨机压力控制在200g/cm<SUP>2</SUP>至400g/cm<SUP>2</SUP>；所述研磨机转速控制在60转/min至80转/min；所述研磨液流量控制在2L/min至5L/min；所述硅片表面温度控制在35至45℃；可防止硅片因为表面应力过大而造成的硅片晶格缺陷和边缘破裂的现象发生，使硅片具有较好研磨表面，有效提高硅片加工成品率，加工工艺简单，操作方便，满足环保要求，生产成本较低。 | ||
| 申请公布号 | CN101310925A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710057422.2 | 申请日期 | 2007.05.22 |
| 申请人 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 发明人 | 仲跻和;周云昌;高如山 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01);B24B29/00(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B37/04(2006.01) |
| 代理机构 | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 胡婉明 |
| 主权项 | 1、一种硅片研磨表面应力消减方法，包括将待研磨硅片夹持到研磨机的研磨盘上，向研磨盘和硅片间加注研磨液，启动研磨机，对研磨机施加压力，控制研磨机转速及硅片表面温度，对待研磨硅片表面进行研磨；其特征在于，所述研磨机压力控制在200g/cm2至400g/cm2；所述研磨机转速控制在60转/min至80转/min；所述研磨液流量控制在2L/min至5L/min；所述硅片表面温度控制在35至45℃。 | ||
| 地址 | 300385天津市开发区微电子工业区中晓园2－B | ||