发明名称 功率半导体模块
摘要 本发明描述一种功率半导体模块(10),包括一基片(12)和一杯形的壳体(14),其中壳体(14)的环绕环的杯边缘(16)成阶梯地构成有一加高的外边缘(18)和一相对其凹陷的内边缘(20),它们通过一阶梯表面(22)相互连接。内边缘(20)可以构成有多个凸出部(24),并且外边缘(18)构成有多个防扭转凸头(26)。基片(12)以其邻接其外边缘(28)内侧的边缘区域(30)贴紧于各凸出部(24)。阶梯表面(22)在壳体(14)的环绕的杯边缘(16)的各角区域(32)内分别构成有保角弯曲的扩大部(34),从而可靠地避免基片(12)的各角(44)与杯边缘(16)的角区域(22)之间的接触。
申请公布号 CN101312166A 申请公布日期 2008.11.26
申请号 CN200810109175.0 申请日期 2008.05.23
申请人 塞米克朗电子有限及两合公司 发明人 R·波普;M·莱德勒
分类号 H01L23/04(2006.01);H05K5/00(2006.01) 主分类号 H01L23/04(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 沈英莹
主权项 1.功率半导体模块(10),包括一基片(12)和一杯形的壳体(14),其中壳体(14)的杯边缘(16)成阶梯地构成有一环绕的加高的外边缘(18)和一相对外边缘(18)凹陷的内边缘(20),它们通过一阶梯表面(22)相互连接;其特征在于,阶梯表面(22)在壳体(14)的杯边缘(16)的各角区域(32)内分别构成有保角弯曲的扩大部(34)。
地址 德国纽伦堡
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