发明名称 |
功率半导体模块 |
摘要 |
本发明描述一种功率半导体模块(10),包括一基片(12)和一杯形的壳体(14),其中壳体(14)的环绕环的杯边缘(16)成阶梯地构成有一加高的外边缘(18)和一相对其凹陷的内边缘(20),它们通过一阶梯表面(22)相互连接。内边缘(20)可以构成有多个凸出部(24),并且外边缘(18)构成有多个防扭转凸头(26)。基片(12)以其邻接其外边缘(28)内侧的边缘区域(30)贴紧于各凸出部(24)。阶梯表面(22)在壳体(14)的环绕的杯边缘(16)的各角区域(32)内分别构成有保角弯曲的扩大部(34),从而可靠地避免基片(12)的各角(44)与杯边缘(16)的角区域(22)之间的接触。 |
申请公布号 |
CN101312166A |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200810109175.0 |
申请日期 |
2008.05.23 |
申请人 |
塞米克朗电子有限及两合公司 |
发明人 |
R·波普;M·莱德勒 |
分类号 |
H01L23/04(2006.01);H05K5/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/04(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
沈英莹 |
主权项 |
1.功率半导体模块(10),包括一基片(12)和一杯形的壳体(14),其中壳体(14)的杯边缘(16)成阶梯地构成有一环绕的加高的外边缘(18)和一相对外边缘(18)凹陷的内边缘(20),它们通过一阶梯表面(22)相互连接;其特征在于,阶梯表面(22)在壳体(14)的杯边缘(16)的各角区域(32)内分别构成有保角弯曲的扩大部(34)。 |
地址 |
德国纽伦堡 |