| 发明名称 | 基于纳米结构的互联线和散热器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了在导电或绝缘基底上生长的纳米结构，及其生长方法。根据权利要求的方法生长的纳米结构适用于电子器件的互联线和/或散热器。 | ||
| 申请公布号 | CN101313092A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200680035406.7 | 申请日期 | 2006.08.28 |
| 申请人 | 斯莫特克有限公司 | 发明人 | 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 |
| 分类号 | D01F9/127(2006.01);D01F9/08(2006.01);H01L51/00(2006.01);H01L21/04(2006.01);H01L23/373(2006.01);C01B31/02(2006.01);C23C16/04(2006.01);C23C16/26(2006.01);H01J1/304(2006.01);H01J3/02(2006.01);H01J9/02(2006.01) | 主分类号 | D01F9/127(2006.01) |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 易钊 |
| 主权项 | 1、一种集成电路，其特征在于，包括：支撑部分；导电基底，位于支撑部分上；由导电基底支撑的互连线，其中互连线包括至少一个纳米结构，其中所述纳米结构包括：位于所述导电层上的多个中间层，所述多个中间层包括至少一个影响纳米结构的形态的层，和至少一个影响所述导电层和纳米结构之间的界面的电学特性的层。 | ||
| 地址 | 瑞典哥德堡 | ||