发明名称 |
光电转换装置 |
摘要 |
形成一种光电转换装置,所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触,并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下,具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的,即,其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构,可以抑制电场的集中和应力的集中,由此可以减小光电转换装置的特性退化。 |
申请公布号 |
CN101313413A |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200680043181.X |
申请日期 |
2006.11.08 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
荒尾达也;楠本直人;山田大干;高桥秀和;西和夫;菅原裕辅;高桥宽畅;深井修次 |
分类号 |
H01L31/10(2006.01);H01L29/41(2006.01);H01L27/146(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/10(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;刘宗杰 |
主权项 |
1.一种光电转换装置,包括:形成在衬底上方的第一电极;包括第一半导体层的光电转换层,其中第一半导体层形成在绝缘膜和第一电极的一部分上并且与绝缘膜和第一电极的一部分接触;以及形成在光电转换层上并且与光电转换层接触的第二电极,其中第一电极的边缘部分具有锥形侧表面。 |
地址 |
日本神奈川县 |